Morphology and origin of V-defects in semipolar (11-22) InGaN

Autoři publikace: 
Lotsari, A.
Das, A.
Kehagias, Th.
Kotsar, Y.
Monroy, E.
Karakostas, Th.
Gladkov, P.
Komninou, Ph.
Dimitrakopulos, G.P.
Rok: 
2012
DOI: 
10.1016/j.jcrysgro.2011.11.055
Bibliografický formát: 

Lotsari, A. ; Das, A. ; Kehagias, Th. ; Kotsar, Y. ; Monroy, E. ; Karakostas, Th. ; Gladkov, Petr ; Komninou, Ph. ; Dimitrakopulos, G.P. Morphology and origin of V-defects in semipolar (11-22) InGaN. Journal of Crystal Growth (2012)

Tým: 
Příprava a charakterizace nanomateriálů
ASEP

ÚFE provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE příspívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.

Kontakt

+420 266 773 400
ufe@ufe.cz
Datová schránka: m54nucy
IČ: 67985882
DIČ: CZ67985882