Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles.

Autoři publikace: 
Yatskiv, R.
Grym, J.
Brus, V.V.
Černohorský, O.
Maryanchuk, P.D.
Bazioti, C.
Dimitrakopulos, G.P.
Komninou, Ph.
Rok: 
2014
DOI: 
10.1088/0268-1242/29/4/045017
Bibliografický formát: 

Yatskiv, Roman ; Grym, Jan ; Brus, V.V. ; Černohorský, Ondřej ; Maryanchuk, P.D. ; Bazioti, C. ; Dimitrakopulos, G.P. ; Komninou, Ph. Transport properties of metal-semiconductor junctions on n-type InP prepared by electrophoretic deposition of Pt nanoparticles. Semiconductor Science and Technology (2014)

Tým: 
Příprava a charakterizace nanomateriálů
ASEP

ÚFE provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE příspívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.

Kontakt

+420 266 773 400
ufe@ufe.cz
Datová schránka: m54nucy
IČ: 67985882
DIČ: CZ67985882