Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth

Autoři publikace: 
Grym, J.
Nohavica, D.
Vaniš, J.
Piksová, K.
Rok: 
2012
Bibliografický formát: 

Grym, Jan ; Nohavica, Dušan ; Vaniš, Jan ; Piksová, K. Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth. Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, (2012)

Tým: 
Příprava a charakterizace nanomateriálů
ASEP

ÚFE provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE příspívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.

Kontakt

+420 266 773 400
ufe@ufe.cz
Datová schránka: m54nucy
IČ: 67985882
DIČ: CZ67985882