Epitaxial growth on porous GaAs substrates.

Autoři publikace: 
Grym, J.
Nohavica, D.
Gladkov, P.
Hulicius, E.
Pangrác, J.
Piksová, K.
Rok: 
2013
DOI: 
10.1016/j.crci.2012.06.012
Bibliografický formát: 

Grym, Jan ; Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petr ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Piksová, K. Epitaxial growth on porous GaAs substrates. Comptes Rendus Chimie (2013)

Tým: 
Příprava a charakterizace nanomateriálů
ASEP

ÚFE provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE příspívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.

Kontakt

+420 266 773 400
ufe@ufe.cz
Datová schránka: m54nucy
IČ: 67985882
DIČ: CZ67985882