Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates.

Autoři publikace: 
Komninou, Ph.
Gladkov, P.
Karakostas, Th.
Pangrác, J.
Pacherová, O.
Vaniš, J.
Hulicius, E.
Rok: 
2014
DOI: 
10.1016/j.jcrysgro.2014.03.031
Bibliografický formát: 

Komninou, Ph. ; Gladkov, Petr ; Karakostas, Th. ; Pangrác, Jiří ; Pacherová, Oliva ; Vaniš, Jan ; Hulicius, Eduard. Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates. Journal of Crystal Growth (2014)

Tým: 
Příprava a charakterizace nanomateriálů
ASEP

ÚFE provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE příspívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.

Kontakt

+420 266 773 400
ufe@ufe.cz
Datová schránka: m54nucy
IČ: 67985882
DIČ: CZ67985882