Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes.

Autoři publikace: 
Yatskiv, R.
Grym, J.
Rok: 
2013
DOI: 
10.1088/0268-1242/28/5/055009
Bibliografický formát: 

Yatskiv, Roman ; Grym, Jan. Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes. Semiconductor Science and Technology (2013)

Tým: 
Příprava a charakterizace nanomateriálů
ASEP

ÚFE provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE příspívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.

Kontakt

+420 266 773 400
ufe@ufe.cz
Datová schránka: m54nucy
IČ: 67985882
DIČ: CZ67985882