Hydrogen detection with semimetal graphite-ZnO (InP,GaN) Schottky diodes.

Autoři publikace: 
Yatskiv, R.
Žďánský, K.
Grym, J.
Rok: 
2013
DOI: 
10.4028/www.scientific.net/KEM.543.159
Bibliografický formát: 

Yatskiv, Roman ; Žďánský, Karel ; Grym, Jan. Hydrogen detection with semimetal graphite-ZnO (InP,GaN) Schottky diodes. In Hristoforou, E. (ed.). Materials and Applications for Sensors and Transducers II ( Key Engineering Materials 543) Vol. 543.. ZURICH : TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (2013)

Tým: 
Příprava a charakterizace nanomateriálů
ASEP

ÚFE provádí základní a aplikovaný výzkum v oblasti fotoniky, optoelektroniky a elektroniky. ÚFE příspívá k rozvoji poznání v těchto oblastech a vytváří širokou bázi znalostí, jako základ pro vývoj nových špičkových technologií.

Kontakt

+420 266 773 400
ufe@ufe.cz
Datová schránka: m54nucy
IČ: 67985882
DIČ: CZ67985882